Микросхема из графена от IBM, работающяя на частоте 2 ГГц
В период с пятого по седьмое декабря в Вашингтоне состоится выставка Intenational Electron Device Meeting. В ходе этого мероприятия сотрудники компании IBM представят широкой общественности информацию об микросхеме из графена. Техпроцесс, применяемый в ней, приближается к тому, который используется при изготовлении микросхем из кремния по технологии CMOS. Микросхема является радиочастотным удвоителем, работающем на 2 ГГц.
Графен привлекателен тем, что электроны в нем чрезвычайно мобильны. Это связано с его строением: толщина решетки атомов углерода составляет всего один атом. В этом графен обгоняет кремний как минимум в сорок раз.
Но, к сожалению, на пути использования этого перспективного материала, стоят технологические сложности, что связано с скоростью насыщения и немалой плотностью тока. Пока в промышленных масштабах устройства на данных микросхемах не производятся: все ограничивается изготовлением экспериментальных устройств и простых интегральных схем. При этом следует подчеркнуть, что разработчикам из IBM получилось продвинуться в направлении серийного производства, причем ими используются стандартные пластины 200 мм и совместимый с CMOS техпроцесс.
За счет великолепных электрических качеств, графен инертен, это делает сложным формирование слоев диэлектрика поверх слоя графена. Специалисты IBM решили проблему. Сначала формируется необходимая структура на кремниевой пластине, на нее наносится графеновый слой (или слои) с использованием вакуумного напыления. После того, как это сделано, к графеновым областям подводят контакты. В результате удается создать полноценный полевой транзистор.
